ALD （Atomic layer deposition）和 CVD（Chemical Vapour Deposition）

半導體ALD/CVD前驅(qū)體是半導體薄膜沉積工藝的核心關鍵原材料，能夠通過化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）和原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）制備金屬/氧化物/氮化物薄膜，用于90nm-14nm甚至7nm先進技術節(jié)點的集成電路制造工藝，被廣泛應用于高端芯片制造，包括邏輯芯片、AI芯片、5G芯片、大容量存儲器和云計算芯片等。

原子層沉積（ALD）

原子層沉積（ALD）是一種薄膜沉積技術。事實上，它是一種基于自限性表面反應的化學氣相沉積技術。它涉及通過改變氣相化學反應的循環(huán)將材料薄膜沉積到基材上。在每個循環(huán)期間，前體氣體被引入反應室，在其中與基材表面反應形成單層材料。然后除去未反應的前體氣體，并引入第二前體氣體以與單層反應。重復該循環(huán)直至達到所需的膜厚度。

ALD 有很多應用。該技術可用于電子、光學、能源和催化等各個領域。它主要用于半導體和集成電路的生產(chǎn)。ALD 有助于沉積高 k 介電材料，例如氧化鉿和氧化鋁，它們是存儲芯片和微處理器的重要組成部分。

ALD 還可用于薄膜太陽能電池的生產(chǎn)。它有助于沉積氧化鋅和硫化鎘等材料的薄層。這些對于太陽能電池的性能至關重要。使用 ALD 沉積這些層可以生產(chǎn)具有優(yōu)異光學和電學性能的高質(zhì)量薄膜。

ALD 還有助于生產(chǎn)光學元件的高性能涂層。例如，在透鏡和鏡子中，ALD 沉積抗反射涂層。ALD 還有助于在柔性顯示器和有機電子產(chǎn)品上沉積阻隔涂層。

CVD（即化學氣相沉積）

CVD（即化學氣相沉積）是在各種應用中將薄膜沉積到基材上的常用技術。CVD 涉及氣相反應物在基材表面或附近的反應，形成固體薄膜。它還涉及前體氣體。它分解或與另一種氣體反應，以便在基材上形成固體薄膜。通常將前體氣體引入包含基底的反應室中，在反應室中將前體氣體加熱至足以使前體分解或與另一種氣體反應以在基底上形成固體膜的溫度。

CVD 在光學、微電子和材料科學等領域有許多不同的應用。它在半導體工業(yè)中也可用于制造電子設備的薄膜和涂層。在光學領域，CVD 可用于在透鏡、鏡子和其他光學元件上沉積涂層。在材料科學領域，CVD 有助于合成各種材料，例如陶瓷、聚合物和金屬。

ALD 和 CVD 之間的區(qū)別
定義
ALD 是一種基于自限性表面反應的化學氣相沉積技術，而 CVD 是一種廣泛使用的材料加工技術，其中通過氣相前驅(qū)體的化學反應在加熱的基板上形成薄膜。

方式
ALD 一次沉積一層原子層的薄膜，而 CVD 可以沉積厚度范圍更廣的薄膜。

溫度
ALD 需要較低的溫度，而 CVD 則需要較高的溫度。

應用領域
ALD 可用于半導體和集成電路、薄膜太陽能電池的生產(chǎn)以及光學元件高性能涂層的生產(chǎn)。另一方面，CVD 在光學、微電子和材料科學等領域有著廣泛的應用，有助于電子設備薄膜和涂層的制造、透鏡和鏡子上涂層的沉積以及各種材料的合成。

結(jié)論
ALD 和 CVD 是有助于在基板上沉積薄膜的薄膜沉積技術。

ALD 和 CVD 之間的主要區(qū)別在于 ALD 一次沉積一個原子層的薄膜，而 CVD 可以沉積厚度范圍更廣的薄膜。